概述

這N溝道MOSFET已專為提高整體效率，并最大限度地減少直流/直流轉(zhuǎn)換器的開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)的PWM controllers.It已優(yōu)化的低柵電荷，低 R DS（ON），開關(guān)速度快昂體內(nèi)二極管的反向恢復(fù)性能。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 8MΩ在V GS = 10V，I D = 14A條
最大R DS（ON）= 13MΩ在V GS = 4.5V，I D = 11A
低R DS（on）和高效率的先進(jìn)的封裝和硅結(jié)合
下一代增強(qiáng)機(jī)體二極管技術(shù)，軟恢復(fù)工程
MSL1健壯的包裝設(shè)計(jì)
100％UIL的測試
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

IMVP Vcor​​e電壓開關(guān)，用于筆記本
VRM的核心電壓開關(guān)用于臺式機(jī)和服務(wù)器
OringFET /負(fù)載開關(guān)
DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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