概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別針對(duì)降低通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能。

特點(diǎn)

的R DS（ON）=12mΩ（典型值）@ V GS = 10V，I D = 49A
開(kāi)關(guān)速度快
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

直流到直流轉(zhuǎn)換器/同步整流

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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