概述

N溝道MOSFET采用飛兆半導體的先進功率溝槽®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關性能。

特點

最大R DS（ON）= 18MΩ在V GS = 10V，I D = 9.6一個
最大R DS（ON）= 21MΩ在V GS = 3.6 V，I D = 8.8一個
低R DS（on）和高效率的先進的封裝和硅結(jié)合
MSL1健壯的包裝設計
100％UIL的測試
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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