相關(guān)描述:
描述
是一種MOS封閉的HGTG30N60B3高壓開關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場(chǎng)效應(yīng)晶體管和低導(dǎo)通狀態(tài)的雙極晶體管導(dǎo)通損失。較低的電壓降的導(dǎo)通狀態(tài)變化之間只有25°C和適度150°C。
是理想的IGBT的許多高電壓開關(guān)應(yīng)用操作以中等頻率低傳導(dǎo)損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機(jī)控制、電力供應(yīng)以及驅(qū)動(dòng)繼電器和接觸器、辦公自動(dòng)化設(shè)備。
TA49170從前發(fā)育類型。
特征
60A 600伏特,驚天,= 25°C
SOA能力600伏特轉(zhuǎn)換
典型的秋天時(shí)間了。。90ns = 150°C在研究
短路評(píng)級(jí)
傳導(dǎo)損失低 全新原裝進(jìn)口,現(xiàn)貨庫存,歡迎來電詢價(jià)------------------------------------------------------------------------------------------
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