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描述
HGTG12N60A4和HGT1S12N60A4S9A的HGTP12N60A4是馬鞍山,封閉的高電壓開關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。這些設(shè)備的高輸入阻抗和低場效應(yīng)晶體管導通狀態(tài)的雙極晶體管導通損失。較低的電壓降的導通狀態(tài)變化之間只有25°C和適度150°C。
這IGBT是理想的許多高電壓開關(guān)應(yīng)用程序運行在高頻段低傳導損失的地方是至關(guān)重要的。該裝置進行了優(yōu)化,為高頻頻率切換式電源供應(yīng)。
TA49335從前發(fā)育類型。
特征
在更大的占空比,涵蓋> 12A操作
在更大的占空比,操作200kHz 9A
SOA能力600伏特轉(zhuǎn)換
典型的秋天時間。。。。。。。。。。。。。。。。。70ns 125°C =在研究
傳導損失低
溫度補償SABERTM模型
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