相關(guān)描述:
描述
是一種MOS封閉的FGH50N3高壓開(kāi)關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。這些設(shè)備的高輸入阻抗和低場(chǎng)效應(yīng)晶體管導(dǎo)通狀態(tài)的雙極晶體管導(dǎo)通損失。較低的電壓降的導(dǎo)通狀態(tài)變化之間只有25°C和適度150°C。
這IGBT是理想的許多高電壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用程序運(yùn)行在高頻段低傳導(dǎo)損失的地方是至關(guān)重要的。該裝置已經(jīng)對(duì)于優(yōu)化中頻率切換式電源供應(yīng)。
發(fā)育類型TA49485從前
特征
集電極-發(fā)射極飽和壓降低。。。。。。。。。。。< 1.4V馬克斯
低EOFF。。。。。。。。。。。< 200µJ
SCWT(@ 125°C)=研究。。。。。。。。> 8µs
300V切換SOA能力
正面-發(fā)射極飽和壓降低溫度系數(shù)以上的菲薄工資而 全新原裝進(jìn)口,現(xiàn)貨庫(kù)存,歡迎來(lái)電詢價(jià)------------------------------------------------------------------------------------------
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