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描述
HGTP10N120BN和HGT1S10N120BNS的HGTG10N120BN Non-Punch,是通過(NPT)IGBT的設計。它們是新成員的MOS封閉的高電壓開關(guān)IGBT的家庭。結(jié)合的最佳特征IGBTs mosfet和雙極晶體管。該器件具有高輸入阻抗的場效應晶體管和低onstate雙極晶體管導通損失。
是理想的IGBT的許多高電壓開關(guān)應用操作以中等頻率低傳導損失的地方是必不可少的,如:交流和直流電機控制、電力供應以及驅(qū)動繼電器和接觸器、辦公自動化設備。
TA49290從前發(fā)育類型。
特征
,1200V 35A = 25°C,牽引力控制系統(tǒng)
SOA能力1200V切換
典型��秋天時間。。。。。。。。。.140ns = 150ºC在研究
短路評級
傳導損失低
額定雪崩
SPICE模型熱阻抗
溫度補償SABERTM模型
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