描述

HGTP12N60A4D和HGT1S12N60A4DS的HGTG12N60A4D是馬鞍山,封閉的高電壓開關(guān)器件mosfet結(jié)合的最佳特征和雙極晶體管。這些設(shè)備的高輸入阻抗和低場效應(yīng)晶體管導(dǎo)通狀態(tài)的雙極晶體管導(dǎo)通損失。較低的電壓降的導(dǎo)通狀態(tài)變化之間只有適度25阿C和150阿的IGBT使用C型TA49335是發(fā)展。用于anti-parallel二極管的TA49371是發(fā)展類型。這IGBT是理想的許多高電壓開關(guān)應(yīng)用程序運行在高頻段低傳導(dǎo)損失的地方是至關(guān)重要的。該裝置進行了優(yōu)化,為高頻頻率切換式電源供應(yīng)。

TA49337從前發(fā)育類型。

特征

• TB334“為焊接表面貼裝元件的指南到PC板”