概述

這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。
這些器件非常適合于體積小，是可取的，但所有的應(yīng)用程序，特別是低成本的直流/直流轉(zhuǎn)換電池供電系統(tǒng)。

特點(diǎn)

2.5一個(gè)，30個(gè)五，R DS（ON）= 0.095 W @ V GS = 10V，R DS（ON）= 0.145 W @ V GS = 4.5 V。
非常快速的切換。
低柵極電荷（2.1nC的典型）。
SuperSOT™-6包：體積�。ū葮�(biāo)準(zhǔn)SO - 8小72％）;低調(diào)（1mm厚）。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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