概述

的N和P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。

這些設(shè)備都被設(shè)計(jì)在一個(gè)非常小的的空間更大更昂貴的TSSOP - 8和SSOP - 6封裝是不切實(shí)際的應(yīng)用提供出色的功耗。

特點(diǎn)

Q1 0.7A，20V。

R DS（ON）=300米W @ V GS = 4.5V
R DS（ON）=400米W @ V GS = 2.5V
Q2 - 0.6A，- 20V。
R DS（ON）=420米W @ V GS = 4.5V
R DS（ON）=630米W @ V GS = 2.5V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SC70 - 60封裝：占地面積�。ū萐SOT - 6封裝小51％）;低調(diào)（1mm厚）

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開關(guān)
液晶顯示器逆變器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。