概述

這個(gè)單一P溝道MOSFET的設(shè)計(jì)采用了飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽過程優(yōu)化的 R DS（ON）@ V GS = -1.5 V。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）= 0.5Ω，在V GS = -4.5 V，I D = -0.83一個(gè)
最大R DS（ON）= 0.7Ω，在V GS = -2.5 V，I D = -0.70一個(gè)
最大R DS（ON）= 1.2Ω，在V GS = -1.8 V，I D = -0.43一個(gè)
最大R DS（ON）= 1.8Ω，在V GS = -1.5 V，I D = -0.36一個(gè)
HBM ESD保護(hù)水平= 1400 V（注3）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

鋰離子電池

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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