概述
這些N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的PowerTrench進程，已特別針對降低通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點
7.5 A，20 V
R DS（ON）= 18 m寬的V GS = 4.5V
R DS（ON）= 24 m寬的V GS = 2.5V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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