概述
這些雙N和P溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的，高細胞密度，DMOS技術。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以盡量減少通態(tài)電阻，并提供出色的開關性能。 這些器件特別適用于如筆記本電腦的電源管理和其它電池供電的電路，快速開關，線路功率損耗低，抗瞬態(tài)需要的低電壓應用。

特點
N溝道5.5 A，30 V，R DS（ON）= 0.030 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.038 W @ V GS = 2.5 V 。
P溝道-4，-20 V，R DS（ON）= 0.055 W @ V GS = 4.5 V時，電阻R DS（ON）= 0.072 W @ V GS = 2.5 V。
非常低R DS（ON），高密度的單元設計。
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力。
雙（N和P溝道）的表面貼裝封裝的MOSFET。

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