概述
這種P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體的低電壓的PowerTrench工藝。 電池電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

特點(diǎn)
-3.5 A，-20 V
R DS（ON）= 80 m寬@ VGS = -4.5 V
R DS（ON）= 110 m寬@ VGS = -2.5 V
低柵極電荷（典型值7.2 NC）
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)

應(yīng)用/框圖（S）
電池管理
負(fù)荷開關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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