概述
這些N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關性能。

特點
7.6一個，40V
的R DS（ON）=29mΩ@ V GS = 10V
的R DS（ON）=36mΩ@ V GS = 4.5V
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率處理能力
符合RoHS標準

應用/框圖（S）
逆變器
電源供應器

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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