概述
的N和P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。
這些設(shè)備都被設(shè)計在一個非常小的的空間更大更昂貴的TSSOP - 8和SSOP - 6封裝是不切實際的應(yīng)用提供出色的功耗。

特點
Q1 0.7A，20V。
R DS（ON）=300mΩ@ V GS = 4.5V
R DS（ON）=400mΩ@ V GS = 2.5V
Q2 - 0.6A，- 20V。
R DS（ON）=420mΩ@ V GS = 4.5V
R DS（ON）=630mΩ@ V GS = 2.5V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
SC70 - 60封裝：占地面積小（比SSOT - 6封裝小51％）;低調(diào)（1mm厚）
合格的AEC Q101
符合RoHS標準

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負荷開關(guān)
液晶顯示器逆變器

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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