概述
飛兆半導(dǎo)體先進的1.5伏的PowerTrench設(shè)計FDZ372NZ的藝術(shù)，“細間距”的WLCSP packagin過程中的狀態(tài)的過程中，最大限度地減少電路板空間和R DS（ ON）。 這種先進的WLCSP封裝的MOSFET EMBO模具中的包裝技術(shù)，使設(shè)備，結(jié)合優(yōu)良的熱傳輸特性，超低扁平封裝，低柵極電荷和低R DS（ON）的突破。

特點
最大R DS（ON）=50MΩ在V GS = 4.5V，I D = 2.0A
最大R DS（ON）=60mΩ在V GS = 2.5V，I D = 2.0A
最大R DS（ON）=72mΩ在V GS = 1.8V，I D = 1.0A
最大R DS（ON）=93mΩ在V GS = 1.5V，I D = 1.0A
只占用PCB面積1.0 mm2的。 不到30％的面積2X2的BGA
超薄包：小于0.4毫米的高度安裝到PCB上時，
HBM ESD保護水平> 2200V（注3）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
電池管理
負荷開關(guān)
電池保護

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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