概述

這N溝道增強型場效應晶體管是利用飛兆半導體專有的，高細胞密度，DMOS技術。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設計，特別是對于作為替代，為雙極型數字晶體管和小信號MOSFET低電壓應用。

特點

0.95一個，25 V的R DS（ON）= 0.45 W @ V GS = 4.5 V 。
的R DS（ON）= 0.60 W @ V GS = 2.7 V 。
低柵極電荷（1.64 NC典型）
非常低的水平柵極驅動的要求，允許直接操作在3V 電路（VGS（TH）1.5V ）。
門源齊納ESD的耐用性（6KV人體模型）。
緊湊型的行業(yè)標準采用SC70 - 6表面貼裝封裝。

應用/框圖（S）

負荷開關
電池保護
電源管理

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