概述

這N溝道MOSFET飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽過程是一個(gè)堅(jiān)固的門版本。 它已被優(yōu)化電源管理應(yīng)用。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=200MΩ，V GS = 10V，I D = 2.2A
最大R DS（ON）=215mΩ，在V GS = 6V，I D = 1.5A
薄型 - 1毫米中的MicroFET 3.3 × 3.3毫米的最大
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
直流 - 直流轉(zhuǎn)換

應(yīng)用筆記

AN - 9040：Power33包裝大會(huì)指南 （302 K），2011年08月12日

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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