概述

指定這些P溝道邏輯電平MOSFET均采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能保持低柵極電荷的過(guò)程。
這些器件非常適合于便攜式電子產(chǎn)品的應(yīng)用：負(fù)荷開(kāi)關(guān)和電源管理，電池充電和保護(hù)電路。

特點(diǎn)

最大R DS（ON）=105mΩ，在V GS = 10V，I D = 2.9A
最大R DS（ON）=135mΩ，在V GS = 4.5V，I D = - 2.5A
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電源管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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