概述

這些N溝道功率MOSFET的制造，使用創(chuàng)新的UltraFET ®過程。 這種先進(jìn)的工藝技術(shù)達(dá)到每硅片面積盡可能最低的導(dǎo)通電阻，造成出色的表現(xiàn)。 此設(shè)備是能夠承受高能量，在雪崩模式和二極管具有非常低的反向恢復(fù)時間和儲存的電荷。 它是專為電源效率是非常重要的應(yīng)用場合，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)轉(zhuǎn)換器，電機驅(qū)動器，繼電器驅(qū)動器，低電壓總線開關(guān)，在便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理，使用。

特點

75A，55V
仿真模型
溫度補償?shù)腜SPICE ®和馬刀™型號
Web上可用的熱阻抗SPICE和馬刀模型
峰值電流和脈沖寬度曲線
統(tǒng)計研究所的評價曲線
相關(guān)文獻(xiàn)
TB334，“指引”為PC板的焊接表面貼裝元件

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。