概述

這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導體的先進功率溝槽®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關性能。 GS齊納已被添加到提高ESD電壓水平。

特點

最大R DS（ON）= 24MΩ在V GS = 10V，I D = 6.5一個
最大R DS（ON）= 35MΩ在V GS = 4.5V，I D = 5.5
HBM ESD保護水平> 6千伏（典型值）（注4）
100％UIL的測試
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

直流 - 直流開關

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
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