概述

這些P溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的平面條形DMOS技術。
尤其是針對這種先進的技術，以盡量減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和通訊模式。 這些設備非常適合基于互補半橋拓撲電子燈鎮(zhèn)流器。

特點

1.56A，- 400V，
的R DS（ON）= 6.5 W @ V GS = 10 V
低柵極電荷（典型10nC）
低CRSS（典型值6.5pF）
快速開關
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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