概述

這種P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細胞密度，DMOS技術(shù)。 這已經(jīng)非常高密度的過程特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。

特點

-3.5 A，-20 V。

R DS（ON）= 0.130Ω@ V GS = -4.5 V

R DS（ON）= 0.180Ω@ V GS = -2.5 V

開關(guān)速度快
極低的D S（ON），高密度的單元設(shè)計
高功率和電流處理能力
合格的AEC Q101
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

DC / DC轉(zhuǎn)換器
電源管理
負荷開關(guān)
電池保護

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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