概述

這些N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過(guò)程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開關(guān)性能。

特點(diǎn)

7.6一個(gè)40V的R DS（ON）=29mΩ@ V GS = 10V

的R DS（ON）=36mΩ@ V GS = 4.5V

一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
合格的AEC Q101

應(yīng)用/框圖（S）

逆變器
電源供應(yīng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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