概述

這種P溝道2.5V指定的MOSFET是一個堅固的門版本飛兆半導體先進的PowerTrench過程。 電源管理應(yīng)用進行了優(yōu)化的柵極驅(qū)​​動電壓范圍廣（2.5V - 8V）

特點

-8.0 A，-20 V
的R DS（ON）= 24 m寬的V GS = -4.5 V
的R DS（ON）= 32 m寬的V GS = -2.5 V
低柵極電荷（26nC典型）
開關(guān)速度快
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
高功率和電流處理能力

應(yīng)用/框圖（S）

電源管理
負荷開關(guān)
電池保護

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準不得復制。