概述

已采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench ®技術(shù)，可提供低R DS（on）和優(yōu)化BVDSS能力提供優(yōu)越的性能優(yōu)勢，在應(yīng)用這種P溝道MOSFET。 優(yōu)化的開關(guān)性能能力，減少在轉(zhuǎn)換器/變頻器應(yīng)用的功耗損失。

特點

最大R DS（ON）=12.3mΩ在V GS = 10V，I D = 12.7A
最大R DS（ON）=18.0mΩ在V GS = 4.5V，I D = 10.4A
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

逆變器
電源供應(yīng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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