概述

這種P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能保持低柵極電荷。

這些設(shè)備非常適合用于電池供電應(yīng)用：負(fù)荷開(kāi)關(guān)和電源管理，電池供電電路，直流/直流轉(zhuǎn)換。

特點(diǎn)

- 5.8A，- 20V的R DS（ON）=30mΩ時(shí)，V GS = 4.5V
的R DS（ON）=43mΩ，V GS = 2.5V
低柵極電荷
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
SuperSOT™C6包：占地面積�。�72％比標(biāo)準(zhǔn)小，因此° C8）低調(diào)（1mm厚）

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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