概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管的生產(chǎn)使用Failchild專有的平面條形DMOS技術。

這一先進技術已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率開關模式電源供應器和有源功率因數(shù)校正。

特點

的R DS（ON）=0.95Ω（典型值）@ V GS = 10V，I D = 2.75A
低柵極電荷（典型值15nC）
低C RSS（典型值6.3pF）
快速開關
100％的雪崩測試
改進的dv / dt能力
符合RoHS標準

應用筆記

AN - 9066：的UniFET™連續(xù)電流模式功率因數(shù)校正的優(yōu)化開關（429 K）八月05， 2011
AN - 9067：在LLC諧振轉換器的MOSFET失效模式分析（1485 K）2011年8月05，

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