概述
這N溝道邏輯電平MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時保持出色的開關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開關(guān)所需。

特點(diǎn)
6.5 A，30 V的R DS（ON）= 0.038 W @ V GS = 10 V，R DS（ON）= 0.053 W @ V GS = 4.5伏
低柵極電荷（5nC典型值）。
開關(guān)速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
高功率和電流處理能力。

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開關(guān)
馬達(dá)驅(qū)動器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。