特點(diǎn)
R DS（ON）=4.3米W（典型值），V GS = 10V，I D = 80A
Q G（TOT）= 61nC（典型值），V GS = 10V
低米勒電荷
低體二極管
統(tǒng)計(jì)研究所的能力（單脈沖，重復(fù)脈沖）
合格的AEC Q101
前身發(fā)育類型82575

應(yīng)用/框圖（S）
電機(jī)/身體負(fù)荷控制
ABS系統(tǒng)
動(dòng)力管理
噴射系統(tǒng)
DC - DC轉(zhuǎn)換器和后備式UPS
分布式電源架構(gòu)和VRM
主開關(guān)為12V和24V系統(tǒng)

應(yīng)用筆記
AN - 9034：功率MOSFET雪崩準(zhǔn)則 （372 K）8月05 2011年

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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