概述
P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的功率溝槽的進(jìn)程，已特別針對(duì)減少通態(tài)電阻。
此設(shè)備是非常適合的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用常見(jiàn)于筆記本電腦和便攜式電池包。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=7.8mΩ，V GS = 10V，I D = 14.5A
最大R DS（ON）=12mΩ，V GS = 4.5V，I D = - 12A
擴(kuò)展的V GS電池的應(yīng)用范圍（- 25V）
6.5kV典型（注3）HBM ESD保護(hù)水平
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）
高功率和電流處理能力
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢(xún)價(jià)
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