概述
N溝道MOSFET采用飛兆半導體的先進功率溝槽®過程中已特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻和保持出色的開關性能。

特點
最大R DS（ON）=14.8mΩ在V GS = 10V，I D = 8.9A
先進的封裝和硅結合低R DS（ON）
MSL1健壯的包裝設計
100％UIL的測試
符合RoHS標準

應用/框圖（S）
直流 - 直流轉(zhuǎn)換

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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