概述
P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench ®過程中已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。 這些設(shè)備非常適合用于電池供電應(yīng)用：負(fù)荷開關(guān)和電源管理，電池充電電路，和DC / DC轉(zhuǎn)換。

特點(diǎn)
最大R DS（ON）=42mΩ，在V GS = 10V，I D = 4.9A
最大R DS（ON）=75mΩ，在V GS = 4.5V，I D = 3.7A
低柵極電荷（17nC典型）。
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）。
SuperSOT™-6包：占地面積�。�72％比標(biāo)準(zhǔn)的SO - 8）低調(diào)（1mm厚）。
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
DC - DC轉(zhuǎn)換

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。