概述
這些P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開(kāi)關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合低電壓應(yīng)用，如汽車，直流/直流轉(zhuǎn)換器，效率高，在便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理開(kāi)關(guān)。

特點(diǎn)
- 27A，- 60V的R DS（ON）= 0.07 W @ V GS = - 10V
低柵極電荷（典型的33 NC）
低CRSS（典型值120 pF的）
快速開(kāi)關(guān)
100％的雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt能力
175 º C的最高結(jié)溫評(píng)級(jí)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入： 潤(rùn)百年@電源管理IC 
（RCC）,電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有，未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。