特點(diǎn)
R DS（ON）=3.5米W（典型值），V GS = 10V，I D = 80A
Q G（TOT）= 95nC（典型值），V GS = 10V
低米勒電荷
低Q RR體二極管
統(tǒng)計(jì)研究所的能力（單脈沖，重復(fù)脈沖）
合格的AEC Q101

前身發(fā)育類型82584

應(yīng)用/框圖（S）
電機(jī)/美體負(fù)載控制
ABS的Systemss
動(dòng)力總成管理層
注射Systemss
DC - DC轉(zhuǎn)換器和離線的UPS
分布式電源架構(gòu)和VRMss
主開關(guān)為12V和24V系統(tǒng)

應(yīng)用筆記
AN - 7532：一個(gè)新的PSpice子電路電熱功率MOSFET （118 K）2011年8月05
AN - 7533：一個(gè)修MOSFET模型具有動(dòng)態(tài)溫度補(bǔ)償 （129 K）2011年8月05
AN - 7534：電熱功率MOSFET的一個(gè)新的PSpice子電路（125 K）8月05 2011年

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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