概述

這些N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。

這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合高效率交換式電源供應(yīng)器，有源功率因數(shù)校正，電子燈鎮(zhèn)流器基于半橋拓?fù)洹?

特點(diǎn)

1.9A，600V，電阻R DS（ON）= 4.7 W @ V GS = 10V
低柵極電荷（典型值8.5 NC）
低CRSS（典型值4.3 pF的）
快速開關(guān)
100％的雪崩測(cè)試
改進(jìn)的dv / dt能力

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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