概述

這些N和P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合低電壓應(yīng)用，如高效率開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器，直流電動(dòng)機(jī)的控制。

特點(diǎn)

1.3A，60V N溝道，
的R DS（ON）= 0.55 W @ V GS = 10V
的R DS（ON）= 0.65 W @ V GS = 5V
P通道0.3A，300V，
的R DS（ON）= 15.5 W @ V GS = 10 V
的R DS（ON）= 16 W @ V GS = 5 V
低柵極電荷
（典型的N溝道1.6 NC）
（典型的P溝道3.6nC）
快速開關(guān)
改進(jìn)的dv / dt能力

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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