概述
飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的1.7V的PowerTrench ®與藝術(shù)“低間距”的WLCSP封裝過(guò)程中的狀態(tài)的過(guò)程設(shè)計(jì),F(xiàn)DZ193P最大限度地減少電路板空間和R DS(ON )。 這種先進(jìn)的WLCSP封裝的MOSFET,體現(xiàn)在包裝技術(shù)的突破,使該器件結(jié)合優(yōu)良的熱傳輸特性,超低調(diào)包裝,低柵極電荷和低R DS(ON )。
特點(diǎn)
最大R DS(ON)=90mΩ,在V GS = 4.5V,I D = - 1A
最大R DS(ON)=130mΩ,在V GS = 2.5V,I D = - 1A
最大R DS(ON)=300mΩ,在V GS = 1.7V,I D = - 1A
面積只有1.5平方毫米的電路板面積小于50%的面積為2 × 2的BGA
超薄封裝:小于0.65毫米的高度安裝到PCB上時(shí),
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用/框圖(S)
電池管理
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電池保護(hù)
全新原裝進(jìn)口,現(xiàn) 貨庫(kù)存,歡迎來(lái)電詢價(jià)
------------------------------------------------------------------------------------------
資料錄入: 潤(rùn)百年@電源管理IC
(RCC),電子元器件全球獨(dú)立供應(yīng) 商
本條信息深圳潤(rùn)百年電子有限公司所有,未經(jīng)批準(zhǔn)不得復(fù)制。