概述

這些N溝道功率MOSFET的制造，使用創(chuàng)新的UltraFET ®過程。 這種先進(jìn)的工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了盡可能最低的每硅片面積onresistance，造成出色的表現(xiàn)。 此設(shè)備是能夠承受高能量，在雪崩模式和二極管具有非常低的反向恢復(fù)時(shí)間和儲(chǔ)存的電荷。 它是專為電源效率是非常重要的應(yīng)用場(chǎng)合，如開關(guān)穩(wěn)壓器，開關(guān)轉(zhuǎn)換器，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，繼電器驅(qū)動(dòng)器，低電壓總線開關(guān)，在便攜式和電池供電產(chǎn)品的電源管理，使用。

特點(diǎn)

150 ° C最大結(jié)溫
統(tǒng)計(jì)研究所的能力（單脈沖，重復(fù)脈沖）
超低導(dǎo)通電阻R DS（ON）= 0.0498486，V GS = 10V
超低導(dǎo)通電阻R DS（ON）= 0.058486，V GS = 5V
合格的AEC Q101
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）

電機(jī)和負(fù)載控制
動(dòng)力管理

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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