概述

這些N溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的，高細胞密度，DMOS技術。 這非常高的密度過程，尤其是量身定制，以盡量減少通態(tài)電阻，并提供出色的開關性能。 這些器件特別適合于低電壓應用，如直流馬達控制和直流/直流轉換，快速開關，線路功率損耗低，抗瞬態(tài)需要。

特點

4 A，60 V的R DS（ON）= 0.100 W @ V GS = 10 V 。
非常低R DS（ON），高密度的單元設計。
一種廣泛使用的表面貼裝封裝的高功率和電流處理能力。

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