概述
這種P溝道1.8V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進的低電壓的PowerTrench過程。 電池電源管理應(yīng)用進行了優(yōu)化。

特點
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- 2A，- 12V。
R DS（ON）=110米W @ V GS = 4.5V
R DS（ON）=150米W @ V GS = 2.5V
R DS（ON）=215米W @ V GS = 1.8V
低柵極電荷
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)
緊湊型的行業(yè)標(biāo)準采用SC70 - 6表面貼裝封裝

應(yīng)用/框圖（S）
電池管理
負荷開關(guān)

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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