概述
這些P溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench進(jìn)程，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻和出色的開關(guān)性能保持低柵極電荷。

特點(diǎn)
3.8A，- 20V。 R =0.075Ω@ V GS = 4.5V，電阻R DS（ON）=0.105Ω@ V GS = 2.5V。
低柵極電荷（7nC典型值）。
開關(guān)速度快。
高性能溝槽技術(shù)非常低R DS（ON）。
高功率和電流處理能力。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來電詢價(jià)
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