概述
已生產(chǎn)這種P溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體專有的PowerTrench技術(shù)，可提供低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化BVDSS能力中的應(yīng)用提供卓越的性能優(yōu)勢(shì)。

特點(diǎn)
-55一，-35 V
R DS（ON）= 11.6MΩ@ V GS = 10 V
R DS（ON）= 18MΩ@ V GS = -4.5 V
極低的R DSON高性能溝槽技術(shù)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用/框圖（S）
逆變器
電源供應(yīng)器

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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