概述
這N溝道2.5V指定的MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench過(guò)程中，已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，同時(shí)保持出色的開(kāi)關(guān)性能。
這些器件非常適用于低壓和電池供電應(yīng)用的低線的功率損耗和快速開(kāi)關(guān)所需。

特點(diǎn)
15 A，20 V的R DS（ON）= 0.0075 W @ V GS = 4.5 V，R DS（ON）= 0.010 W @ V GS = 2.5 V。
低柵極電荷（47nC典型）。
開(kāi)關(guān)速度快。
非常低R DS（ON），高性能的溝槽技術(shù)。
高功率和電流處理能力。

應(yīng)用/框圖（S）
DC / DC轉(zhuǎn)換器
負(fù)荷開(kāi)關(guān)
電池保護(hù)

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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