概述

這些雙P溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的，高細(xì)胞密度，DMOS技術(shù)。 這非常高的密度過(guò)程，尤其是量身定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻。 本裝置已設(shè)計(jì)，特別是對(duì)作為一個(gè)負(fù)載switchimg應(yīng)用的數(shù)字晶體管替代低電壓​​應(yīng)用。 由于偏置電阻不需要這一個(gè)P溝道FET可以代替幾個(gè)IMBxA系列等不同的偏置電阻的數(shù)字晶體管。

特點(diǎn)

-25 V，-0.12一個(gè)連續(xù)的，-0.5高峰。 RDS（ON）= 13 W @ VGS = -2.7 V時(shí)，RDS（ON）= 10瓦@ VGS = -4.5 V 。
非常低的水平柵極驅(qū)動(dòng)的要求，允許直接操作在3V電路。 VGS（TH）<1.5V。
門源齊納二極管的ESD堅(jiān)固性。 > 6kV的人體模型
替換之一的DMOS FET的多個(gè)PNP（IMHxA系列）數(shù)字晶體管。

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫(kù)存，歡迎來(lái)電詢價(jià)
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