概述

此N溝道MOSFET采用飛兆半導體專有的PowerTrench ®技術，可提供低R DS（on）和優(yōu)化的BV DSS提供優(yōu)越的性能優(yōu)勢，在應用程序的能力已經(jīng)產(chǎn)生。

特點

最大R DS（ON）= 9MΩ在V GS = 10V，I D = 13
最大R DS（ON）= 13mΩat的V GS = 4.5V，I D = 11一個
快速切換
100％UIL的測試
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

 
逆變器
電源供應器

全新原裝進口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價
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