概述

飛兆半導體先進的1.5伏的PowerTrench ®與藝術“細間距的”超薄的WLCSP封裝過程中的狀態(tài)的過程設計，FDZ371PZ最大限度地減少電路板空間和R DS（ ON）。 這種先進的WLCSP封裝的MOSFET，體現在包裝技術的突破，使該器件結合優(yōu)良的熱傳輸特性，超低調包裝，低柵極電荷和低R DS（ON ）。

特點

最大R DS（ON）= 75MΩ在V GS = -4.5 V，I D = -2.0一個
最大R DS（ON）= 90MΩ在V GS = -2.5 V，I D = -1.5一個
最大R DS（ON）= 110MΩ，在V GS = -1.8 V，I D = -1.0一個
最大R DS（ON）= 150MΩ，在V GS = -1.5 V，I D = -1.0一個
面積只有1.0平方毫米的PCB area.Less超過30％的面積為2 × 2的BGA
超薄包：小于0.4毫米的高度安裝到PCB上時，
HBM ESD保護水平> 4.4kV典型（注3）
符合RoHS標準

應用/框圖（S）

電池管理
負荷開關
電池保護

全新原裝進口，現 貨庫存，歡迎來電詢價
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