概述

這些邏輯電平P溝道增強型功率場效應晶體管都采用飛兆半導體專有的，高細胞密度，DMOS技術。 這非常高的密度過程已特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關性能，并承受高能量脈沖在雪崩和通訊模式。 這些器件特別適合于低電壓應用，如汽車，直流/直流轉(zhuǎn)換器，PWM電機控制，和其它電池供電的電路，快速開關，線路功率損耗低，抗瞬態(tài)需要。

特點

-24一-20五的RDS（ON）= 0.05 W @ VGS = -4.5 V，RDS（ON）= 0.07 W @ VGS = -2.7 V，RDS（ON）= 0.075 W @ VGS = -2.5 V 。
在高溫下的臨界直流電氣參數(shù)。
堅固的內(nèi)部源極 - 漏極二極管可以消除外部齊納二極管，瞬態(tài)抑制器的需要。
175℃的最高結(jié)溫評級。
極低的RDS（ON）的高密度的單元設計。
TO - 220和TO - 263（D2PAK）封裝，通過孔和表面貼裝應用。 極低的RDS（ON）的高密度的單元設計。
TO - 220和TO - 263（D2PAK）封裝，通過孔和表面貼裝應用。

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