概述

這些P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管都采用飛兆半導(dǎo)體專有的平面條形DMOS技術(shù)。
這種先進(jìn)的技術(shù)已被特別定制，以最大限度地減少通態(tài)電阻，提供出色的開關(guān)性能，并承受高能量脈沖在雪崩和減刑模式。 這些器件非常適合低電壓應(yīng)用，如高效率開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器，直流電動(dòng)機(jī)的控制。

特點(diǎn)

- 3.4A，200V，電阻R DS（ON）= 1.4 W @ V GS = - 10V
低柵極電荷（典型的10 NC）
低CRSS（典型值12pF的）
快速開關(guān)
100％的雪崩測(cè)試

全新原裝進(jìn)口，現(xiàn) 貨庫存，歡迎來電詢價(jià)
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